[发明专利]量子点半导体纳米材料渐逝波光纤放大器及其制造方法有效
| 申请号： | 200610116368.X | 申请日： | 2006-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1928688A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王廷云;庞拂飞;王克新 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G02F1/39 | 分类号： | G02F1/39;G02F1/35;G02B6/26 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明述及一种量子点半导体纳米材料渐逝波光纤放大器及其制造方法。它是利用熔锥型光纤耦合器作为光纤渐逝波放大的放大光纤，并把熔锥耦合区外面涂上纳米级的半导体材料，从而实现了纳米半导体材料耦合式的渐逝波光纤放大效果。它由泵浦光源和信号光源连接量子点半导体纳米材料渐逝波放大光纤构成。本方法是：首先制作光纤耦合器件，接着制作量子点半导体纳米材料，然后是制作量子点半导体纳米材料渐逝波放大光纤，最后制成放大器系统。本量子点半导体纳米材料渐逝波光纤放大器，实现宽光谱，体积小，价格低廉，可广泛应用于长距离、大容量、高速率的通信系统，接入网，光纤CATV网，FTTH，军用系统等领域的光信号放大，也可用于光纤传感器领域的光信号放大。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 半导体 纳米 材料 波光 放大器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子点半导体纳米材料渐逝波光纤放大器，由一个泵浦光源(1)和一个信号光源(2)与一个渐逝波放大光纤连接构成，其特征在于所述的渐逝波放大光纤为量子点半导体纳米材料渐逝波放大光纤(3)，它是由2×2熔锥光纤耦合器件、量子点半导体纳米材料(34)和封装保护管(35)组成，所述的2×2熔锥光纤耦合器件由泵浦光输入光纤(31)和信号光输入光纤(32)分别连接一个2×2熔锥光纤耦合区(39)的输入端两个光纤端，而2×2熔锥光纤耦合区(39)的输出端两个光纤端分别连接放大后信号输出光纤(37)和放大后泵浦输出光纤(38)所构成；所述的量子点半导体纳米材料(34)置于封装保护管(35)内，并包围2×2熔锥光纤耦合区(39)；所述的封装保护管(35)的两端有封装胶(33、36)把所述的量子点半导体纳米材料(34)密封于所述的封装保护管(35)和2×2熔锥光纤耦合区(39)之间。
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