[发明专利]利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜无效
| 申请号： | 200610116508.3 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1929091A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 刘学超;施尔畏;陈之战;张华伟;范秋林;宋力昕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法，以Co为磁性掺杂源，以Al为施主掺杂源制备(Co，Al)共掺杂的ZnO薄膜。制备过程采用Zn1－x－yCoxAlyO(0＜x≤0.15，0＜y≤0.03)靶材，Co的掺杂浓度可以通过调节靶材中的Co含量控制，薄膜中的载流子浓度和氧缺陷可以通过调节靶材中的Al含量和高纯O2和Ar不同分压比来控制。采用ICP－PVD法可以有效的控制掺杂浓度，稳定性好。该设备简单，操作方便，与普通磁控溅射设备相比引入了电磁场约束系统，在溅射过程中能够对等离子体中的电子和各种带电离子起到约束和加速作用，从而降低了薄膜的生长温度，薄膜具有表面平整、晶粒大小均匀，良好C轴取向的优点，并获得了室温以上的铁磁性。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 电磁场 约束 电感 耦合 等离子体 溅射 沉积 法制 zno 基稀磁 半导体 薄膜 | ||
【主权项】：
1、利用电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法制备ZnO基稀磁半导体薄膜的方法，其特征是以电磁场约束电感耦合等离子体溅射沉积法，结合Co和Al共掺杂途径，获得了低电阻率和高载流子(电子)浓度的薄膜，实现了室温以上的本征铁磁性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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