[发明专利]一种高度c轴取向的纳米多孔氧化锌薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200610116509.8 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1923701A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 高相东;李效民;于伟东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高度c轴取向的纳米多孔氧化锌薄膜及其制备方法，属于半导体光电材料、纳米能源材料、催化材料领域。薄膜沉积过程由若干个循环组成，每个循环包含四步：(1)前驱体溶液吸附；(2)衬底静置；(3)衬底超声辐照；(4)热水反应及衬底干燥。前驱体为金属锌与氨或其他物质的配合物溶液，可采用金属锌的无机盐或有机醋酸盐与氨水(或其他络合剂)配制；衬底为普通玻璃、石英玻璃、ITO导电玻璃或其他材料。本发明特点是：所得ZnO膜层具有独特的纳米多孔结构，最小晶粒尺寸为3－10nm，因此具有比其他方法制备的ZnO膜层大得多的比表面积；本方法成本低廉，简便易行，无须使用有机物和高温加热设备，适合于规模化薄膜材料制备，同时在大面积薄膜生长、以及不规则衬底材料上的薄膜生长方面，也具有突出的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高度 取向 纳米 多孔 氧化锌 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高度c轴取向的纳米多孔氧化锌薄膜，其特征在于：(1)所得的ZnO膜层不仅具有良好的结晶性，而且具有高度c轴取向生长特征；(2)所得ZnO膜层在不同的微观尺度具有不同的结构：在微米范围，由颗粒尺寸为200-400纳米均匀分布的ZnO颗粒构成；在纳米尺度，每一个ZnO颗粒又是由粒子尺寸为3-10纳米的ZnO粒子构成。
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