[发明专利]用于半导体集成电路的隔离结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200610116559.6 | 申请日： | 2006-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101154614A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 王乐 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体集成电路的隔离结构，在硅基板表面部分区域采用离子注入方式，从而避免了采用传统方法容易造成的“鸟嘴”现象，并且简化了制造工艺流程。为制得该隔离结构，本发明的制造方法包含如下步骤：在硅基板上生长一层二氧化硅；涂布上一层厚光刻胶；在掩模板上预设需要隔离的区域，通过一次光刻，刻蚀掉所述需要隔离的区域的光刻胶，暴露出需要做隔离的硅基板表面；刻蚀掉暴露区域的二氧化硅层；不同能量的氮/氧离子多次重复注入所述暴露区域；去除多余光刻胶；氮气氛围下高温长时间处理。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 集成电路 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体集成电路的隔离结构，其特征在于：由硅基板、所述硅基板表面预设区域的离子注入区域构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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