[发明专利]钨酸铅晶体的制备方法无效
| 申请号： | 200610116726.7 | 申请日： | 2006-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1966782A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 万尤宝 | 申请（专利权）人： | 嘉兴学院;嘉兴市晶英光电子技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B11/00 |
| 代理公司： | 上海开祺知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李兰英;杨润周 |
| 地址： | 314001*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钨酸铅晶体的制备方法，它包括如下步骤：原料预处理；将预处理后的原料即PbWO3注入置有籽晶的生长坩埚，顶部预留0.1－0.6倍于晶体长度的空间，然后包装好；对坩埚内预留空间部分进行抽真空，然后再注入1个大气压的氧气，密封坩埚；将坩埚置于下降炉内接种、生长，炉温控制在1200－1250℃，坩埚下降速率1mm/h；晶体生长结束后按30℃/h速度降温至950℃退火5小时；将生成的钨酸铅晶体在退火炉中按照30℃/h升温至1000℃，恒温5小时使之退火，然后再按照30℃/h降温至室温；将得到的钨酸铅晶体按照既定规格切割、抛光即可得到成品。 | ||
| 搜索关键词： | 钨酸铅 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钨酸铅晶体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)原料预处理：将纯度为99.99％的PbO和WO3原料在200℃恒温4小时烘干除去水分，按照化学计量比称量，混合均匀后900℃预烧结，然后将烧结后的原料在1200℃熔化后恒温半小时，混合均匀，生成PbWO3；(2)将预处理后的原料即PbWO3注入置有籽晶的生长坩埚，顶部预留0.1-0.6倍于晶体长度的空间，然后包装好；(3)对坩埚内预留空间部分进行抽真空，然后再注入1个大气压的氧气，密封坩埚；(4)将坩埚置于下降炉内接种、生长，炉温控制在1200-1250℃，坩埚下降速率1mm/h；(5)晶体生长结束后按30℃/h速度降温至950℃退火5小时；(6)将生成的钨酸铅晶体在退火炉中按照30℃/h升温至1000℃，恒温5小时使之退火，然后再按照30℃/h降温至室温；(7)将经过第5步处理的钨酸铅晶体按照既定规格切割、抛光即可得到成品。
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