[发明专利]半导体器件焊盘形成方法有效
| 申请号： | 200610116850.3 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154603A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 宋铭峰;裴昌炜;张水友 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/28;H01L21/66;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件焊盘形成方法，包括：在半导体器件衬底上形成导电层；在所述导电层上刻蚀出焊盘图形；对所述导电层表面进行晶格缺陷检测；利用稀释过氧化硫处理所述导电层表面晶格缺陷；形成焊盘。通过使用稀释过氧化硫这种酸性含水溶液消除焊盘表面晶格缺陷，可在应用有机溶剂去除法去除焊盘表面的晶格缺陷的同时，减少有机溶剂的处理时间，进而提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件焊盘形成方法，包括：在半导体器件衬底上形成导电层；在所述导电层上刻蚀出焊盘图形；对所述导电层表面进行晶格缺陷检测；利用稀释过氧化硫处理具有晶格缺陷的所述导电层表面；对处理后的所述导电层表面重复进行晶格缺陷检测；最终形成无表面晶格缺陷的焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
