[发明专利]晶片压紧圈及制造方法无效
| 申请号： | 200610116895.0 | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101159245A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 桂鲲;吴秉寰;刘兆虎;杨小军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶片压紧圈，其压块处遮檐宽为1.52mm，位于遮檐上并将其均分的小压块的宽为1.88mm，压紧圈的内径在202.1mm至202.3mm之间。本发明还公开了制造上述内径为202.2mm的晶片压紧圈的制造方法，铣削掉压紧圈小压块之间的部分，使压紧圈的内径从200.7mm增加到202.2mm。本发明通过增加晶片压紧圈的内径，减小制程位置时晶片和晶片压紧圈之间刮擦的可能，防止发生晶片黏附。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 压紧 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片压紧圈，其压块处遮檐宽为1.52mm，位于遮檐上并将其均分的小压块的宽为1.88mm，其特征在于，压紧圈的内径在202.1mm至202.3mm之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
