[发明专利]防止铜扩散的方法及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610116901.2 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154590A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 吴廷斌;周华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种防止铜扩散的方法，采用惰性气体离子轰击铜布线层表面，所述的惰性气体离子轰击铜布线层表面的深度范围为30至70。同时，本发明还提供一种铜互连的半导体器件的制造方法。本发明通过优化预处理工艺，优化制备扩散阻挡层的结构，加强了扩散阻挡层和铝垫层之间的附着力，更好地阻挡了铜向Al垫层扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 扩散 方法 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种防止铜扩散的方法，采用惰性气体离子轰击铜布线层表面，其特征在于，所述的惰性气体离子轰击铜布线层表面的深度范围为30至70。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
