[发明专利]高密度等离子体沉积反应室和用于反应室的气体注入环无效
| 申请号： | 200610116907.X | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101153387A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘明源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/448;C23C16/52;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 公开了一种高密度等离子体沉积反应室和用于反应室的气体注入环，反应室包含反应室盖、反应室侧壁、静电卡盘和气体注入环，所述气体注入环上有复数个喷头，所述喷头与气体源相连并沿所述气体注入环的圆周分布，其中，所述喷头包括第一喷头和第二喷头，所述的第一喷头的轴线平行于所述气体注入环的圆周所在平面；所述的第二喷头的轴线与所述气体注入环的圆周所在平面相交成特定角度。本发明可使反应室内的气体等离子体的分布更为均匀，在无需改变工艺条件，不影响间隙填充质量的情况下，提高了所形成的薄膜的均匀性和平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 等离子体 沉积 反应 用于 气体 注入 | ||
【主权项】：
1.一种高密度等离子体沉积反应室，包含反应室盖、反应室侧壁、静电卡盘和气体注入环，所述气体注入环上有复数个喷头，所述喷头与气体源相连并沿所述气体注入环的圆周分布，其特征在于：所述喷头包括第一喷头和第二喷头，所述的第一喷头的轴线平行于所述气体注入环的圆周所在平面；所述的第二喷头的轴线与所述气体注入环的圆周所在平面相交成特定角度。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
