[发明专利]降低铝铜合金偏析物析出的方法无效
| 申请号： | 200610116930.9 | 申请日： | 2006-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN101159236A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 杨织森 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种降低铝铜合金偏析物析出的方法，其利用一退火工艺以使偏析于铝铜合金晶界上的θ相铝铜合金，克服位能能障，自晶界扩散进入铝基底内，而有效的降低后续对铝铜合金层进行图案导线工艺时，因θ相铝铜合金所造成的工艺成品率偏低。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 铜合金 偏析 析出 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低铝铜合金偏析物析出的方法，其特征在于：该铝铜化合物系作为半导体组件的金属导线层，该方法系将已沉积铝铜化合物的一晶片置入一通有氮气或氦气的工艺工具内进行一退火处理，以使偏析于晶界上的θ相铝铜化合物再次扩散进入铝基底内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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