[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200610116943.6 | 申请日： | 2006-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101162733A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 雷明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王素萍 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于解决高压工艺中隔离漏电的金属场效应晶体管结构及其制作方法，不增加特别的光刻板工序和工序步骤变动并且在高低压兼容工序的情况下，仅通过多晶硅栅版图设计时，在金属布线层(7)和场氧化隔离区(3)之间保留多晶硅浮栅层(1)，就能方便有效地大幅度提高MOS场效应晶体管阈值电压，达到MOS场效应晶体管的良好隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS场效应晶体管，包含介质层区(2)、场氧化隔离区(3)、主要由源区(4)和漏区(5)组成的有源区、阱区(6)、金属布线(7)、以及钨塞(8)，其中场氧化隔离区(3)使有源区之间隔离，场氧化隔离区(3)下端有阱区而向上依次有介质层区和金属布线，其特征在于，多晶硅版图设计时，在所述金属布线(7)和所述场氧化隔离区(3)之间保留所述多晶硅浮栅层(1)。
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