[发明专利]一种生长在蓝宝石衬底上的复合缓冲层及制备方法无效
| 申请号： | 200610117009.6 | 申请日： | 2006-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1945863A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 陈平平;陆卫;刘昭麟;李天信;王少伟;陈效双 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/0304;H01L29/20;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长在Al2O3衬底上的复合缓冲层及制备方法，该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层、GaN层、InN:Mn层及InN过渡层。制备方法采用MBE生长方式，首先采用高温氮化技术在Al2O3表面形成AlN层；再分三步进行GaN层生长；进一步在GaN层上，生长InN:Mn层；再生长InN过渡层。由于Mn的扩散系数较大，在InN薄膜生长时掺入少量的Mn原子可以起到活性剂作用，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合，使得InN:Mn在GaN层上很快由三维变为二维生长。为防止Mn的扩散对于后续InN单晶薄膜的物理性质的影响，在生长好InN:Mn层后，再生长InN过渡层。最后，在AlN－GaN－InN:Mn－InN复合缓冲层的基础上就可生长高质量的InN单晶薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 蓝宝石 衬底 复合 缓冲 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生长在Al2O3衬底(1)上的复合缓冲层，其特征在于：该复合缓冲层包括：依次排列生成的AlN层(2)、GaN层(3)、InN:Mn层(4)及InN过渡层(5)。
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