[发明专利]改善三元硅化物高温抗氧化性能的方法无效
| 申请号： | 200610117053.7 | 申请日： | 2006-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1958832A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 王方;单爱党;董显平;唐新华;吴建生 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C22F1/00 | 分类号： | C22F1/00;C21D1/09;C22C29/18 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;张宗明 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善三元硅化物高温抗氧化性能的方法，属于材料技术领域。本发明将三元硅化物材料试样置于激光加工机床上，将试样的待重熔面朝上，将激光工作头引向试样待重熔面的上方，激光工作头离试样待重熔面距离为10－20mm，用连续激光辐照试样表面形成熔池，用Ar气保护熔池表面以避免氧化。由于激光辐照试样表面时所形成熔池内特殊的冶金性质及快速凝固特性，在试样表面形成了与基体同成分且以冶金方式结合的重熔层，此重熔层致密、显微组织细小均匀、从而通过组织细化提高三元硅化物材料的高温抗氧化性。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 三元 硅化物 高温 氧化 性能 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善三元硅化物高温抗氧化性能的方法，其特征在于，将三元硅化物材料试样置于激光加工机床上，将试样的待重熔面朝上，将激光工作头引向试样待重熔面的上方，激光工作头离试样待重熔面距离为10-20mm，用连续激光辐照试样表面形成熔池，用Ar气保护熔池表面以避免氧化。
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