[发明专利]一种提高芯片轴向出光亮度的方法有效
| 申请号： | 200610117094.6 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101162748A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 陈立人 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 310018浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高芯片轴向出光度的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：步骤一，在蓝宝石衬底表面蒸镀上一层厚度在1~50纳米之间的镍金属；步骤二，用600~900摄氏度的温度进行快速退火30~300秒，此时镍金属将形成直径约200~400纳米的小球状，以此作为掩模；步骤三，选择性的刻蚀蓝宝石衬底表面，深度在100~500纳米范围内；步骤四，清洗所述蓝宝石衬底上的所述镍金属；步骤五，将所述衬底生长氮化铟镓外延层。本发明的技术方案可以减少出射光的全反射现象并且提高轴向亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 芯片 轴向 光亮度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高芯片轴向出光度的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：步骤一，在蓝宝石衬底表面蒸镀上一层厚度在1~50纳米之间的镍金属；步骤二，用600~900摄氏度的温度进行快速退火30~300秒，此时镍金属将形成直径约200~400纳米的小球状，以此作为掩模；步骤三，选择性的刻蚀蓝宝石衬底表面，深度在100~500纳米范围内；步骤四，清洗所述蓝宝石衬底上的所述镍金属；步骤五，将所述衬底生长氮化铟镓外延层。
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