[发明专利]红外焦平面列阵器件混成互连铟柱的微熔回流加固方法无效
申请号: | 200610117107.X | 申请日: | 2006-10-13 |
公开(公告)号: | CN1937190A | 公开(公告)日: | 2007-03-28 |
发明(设计)人: | 叶振华;胡晓宁;王建新;周文洪;王晨飞;丁瑞军 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 田申荣 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件混成互连铟柱的微熔回流加固方法,该方法是在红外光敏感列阵芯片和读出电路在常规的冷压混成互连后,采用甲酸作为还原剂,在金属铟的熔点温度下进行混成互连铟柱的微熔回流加固,以增强混成互连铟柱之间及内部的键合力,以及混成互连铟柱与金属化电极层间的机械接触强度,从而确保红外光敏感列阵芯片与硅读出电路之间的电学连通,并提高红外焦平面混成互连的机械可靠性。本发明方法操作简单,便于在工艺上实现。 | ||
搜索关键词: | 红外 平面 列阵 器件 混成 互连 回流 加固 方法 | ||
【主权项】:
1.一种红外焦平面列阵器件混成互连铟柱的微熔回流加固方法,其特征在于具体步骤如下:§A.将由铟柱冷压混成互连成的红外焦平面列阵器件样品与监控铟片一起放到可自动升降控温的回熔炉的样品台上;§B.然后对样品室抽真空至6×10-3mbar以下,加热样品和监控铟片,在1-1.5分钟内将其迅速加热到铟的熔点,同时在这一升温和互连铟柱微熔加固的过程中,往腔室里通入500~600L/小时的含有甲酸气氛的氮气流,该含甲酸气氛的氮气流由氮气通过80%的甲酸液体产生;§C.观察监控铟片,当铟片回流成球后,立即停止含甲酸气氛的氮气流入,以流速为2000~2500L/小时的大流量的氮气吹样品,且起用样品台冷却降温功能,使样品在10-20秒内迅速降至室温,然后将氮气流速降为400~500L/小时,并维持30-40分钟来清洗回流微熔加固过程中残留的甲酸气体及反应生成物,确保微熔回流后的样品能够长时间储存。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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