[发明专利]廉价多晶硅薄膜太阳电池无效
| 申请号： | 200610117155.9 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1933185A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 褚君浩;石刚;高文秀;石富文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种廉价多晶硅薄膜太阳电池，结构为背电极/衬底/制有P－N结的多晶硅薄膜/栅状上电极，在电池入射光表面有氮化硅减反射膜，其特征在于：在衬底和制有P－N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P+层及阻挡衬底杂质向多晶硅薄膜扩散的SiO2隔离层；所说的衬底是选用低品质的多晶硅片，其纯度＜4N。本发明的最大优点是：在衬底和制有P－N结的多晶硅薄膜之间增加了SiO2隔离层和重掺P+层，使得低品质的多晶硅片衬底顺利用于太阳电池，大大降低了电池的制作成本，有利于薄膜太阳电池的产业化，进而有利于低成本光伏发电的实现。 | ||
| 搜索关键词： | 廉价 多晶 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】：
1.一种廉价多晶硅薄膜太阳电池，结构为背电极(1)/衬底(2)/制有P-N结的多晶硅薄膜/栅状上电极(7)，在电池的入射光表面有氮化硅减反射膜(8)，其特征在于：在衬底(2)和制有P-N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P+层(4)和SiO2隔离层(3)；在SiO2隔离层中开有可使背电极和上电极构成电回路的窗口(301)；所说的衬底(2)是选用低品质的多晶硅片，其纯度＜4N。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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