[发明专利]一种ZnO塔状的周期性单晶纳米结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200610117268.9 | 申请日： | 2006-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1958877A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 朱自强;徐丰;郁可 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/16;C30B29/68 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德;石昭 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种ZnO塔状的周期性单晶纳米结构及其制备方法，属于光电子和半导体材料及其制备方法的技术领域。该纳米结构是由生长在硅片上的六方纳米单元自下而上组装而成的具有层次和周期性的ZnO塔状单晶纳米结构，所述的塔状单晶纳米结构的长度、底端直径和尖端直径分别为20～30μm、3～10μm和5～15nm。以硅片作为衬底，以Zn粉作为蒸发源，以Ar为载气，用热蒸发方法在大气压强和550～700℃的条件下，在衬底上生长ZnO纳米单晶，得到产品，ZnO塔状的周期性单晶纳米结构。有方法简单，成本低，重复性好，在硅片上大面积生长ZnO塔状的周期性单晶纳米结构等优点。产品特别适用于作为场发射微电子器件中的阴极材料和STM、AFM等显微镜的探针。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 周期性 纳米 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种ZnO塔状的周期性单晶纳米结构，其特征在于，该纳米结构是由生长在硅片上的六方纳米单元自下而上组装而成的具有层次和周期性的ZnO塔状单晶纳米结构，所述的塔状单晶纳米结构的长度、底端直径和尖端直径分别为20～30μm、3～10μm和5～15nm。
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