[发明专利]一种多角状纳米ZnO和碳纳米管的复合结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200610117269.3 | 申请日： | 2006-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1967766A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 郁可;王青艳;朱自强 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;C01G9/02;C01B31/02;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德;石昭 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多角状纳米ZnO和碳纳米管的复合结构及其制备方法，属于光电子和半导体材料及其制备的技术领域。背景技术用气相输运法和用丝网印刷制备的大面积碳纳米管薄膜，含杂质较多，其场发射电流密度和发射点密度较小，发射均匀性差，限制其在场发射显示器件中的应用。该复合结构由硅片衬底、碳纳米管和多角纳米ZnO组成，在表面印制有碳纳米管薄膜的硅片衬底上，以ZnO粉和石墨粉与少量Zn粉的均匀混和物作为蒸发源，用热蒸发方法蒸发蒸发源混和物，在碳纳米管薄膜上生长多角状纳米ZnO，该复合结构多角，场发射电流密度和发射点密度大，发射均匀性好，特别适于在场发射显示器件中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多角状 纳米 zno 复合 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多角状纳米ZnO和碳纳米管的复合结构，其特征在于，由硅片衬底、碳纳米管和多角纳米ZnO组成，碳纳米管和多角纳米ZnO以薄膜形式分别依附在硅片衬底上和依附在碳纳米管薄膜上，多角状纳米ZnO的角的平均直径和平均长度分别为20nm～40nm和300～500nm。
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