[发明专利]闪存工艺高压栅氧和隧穿氧化层形成方法有效
| 申请号： | 200610117432.6 | 申请日： | 2006-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101170064A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;李铭;龚新军;杨鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种闪存工艺高压栅氧和隧穿氧化层形成方法，首先，保留浮栅刻蚀后浮栅栅氧层，其厚度为50～70；其次，对所述浮栅栅氧层用湿法进行腐蚀，保留其厚度为20～30；之后，利用高温减压化学气相沉积工艺同时形成隧穿氧化层和高压栅氧层；最终，所述隧穿氧化层形成的厚度为160～180，所述高压栅氧层形成的厚度为180～210。本发明通过减少隧穿氧化层的厚度，不仅增强擦除时的电场强度，而且氧化层的陷阱数量也相应减少，从而有利于提高存储单元的擦除能力。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 工艺 高压 氧化 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种闪存工艺高压栅氧和隧穿氧化层形成方法，其特征在于：首先，保留浮栅刻蚀后浮栅栅氧层，其厚度为50～70![]()
；其次，对所述浮栅栅氧层用湿法进行腐蚀，保留其厚度为20～30![]()
；之后，利用高温减压化学气相沉积工艺同时形成隧穿氧化层和高压栅氧层；最终，所述隧穿氧化层形成的厚度为160～180![]()
，所述高压栅氧层形成的厚度为180～210![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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