[发明专利]硫化物辅助合成一维纳米硅材料的方法无效
| 申请号： | 200610117576.1 | 申请日： | 2006-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1944250A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 牛俊杰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B33/027 | 分类号： | C01B33/027 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;张宗明 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硫化物辅助合成一维纳米硅材料的方法，属于纳米材料技术领域。本发明步骤为：第一步，反应在带有低真空系统的卧式石英管式炉中进行，将干净的硅片置于管式炉中央，同时把硫单质或者含硫化合物置于石英管气体通入的一侧；第二步，首先升温到900℃，之后升温到反应温度1050－1250℃。在温度达到750℃时，通入惰性气体；第三步，在反应温度1050－1250℃下，保持腔内压强4500Pa，反应持续进行，反应完后将反应产物取出，在硅片表面得到大量一维纳米硅材料。本发明工艺简单易行，成本低廉，对环境无污染，采用惰性气体保护，无明显易燃危险原料，气体价格低廉；收率高，设备简单，可以连续化操作，适于批量合成。 | ||
| 搜索关键词： | 硫化物 辅助 合成 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硫化物辅助合成一维纳米硅材料的方法，其特征在于，采用IC工艺中常用的硅片作为反应衬底和硅源，用硫单质或含硫化和物作为反应前驱体，以惰性气体为保护气体及载气，进行氧化还原反应，分解出的硫被载气带到硅片表面与硅片发生化学反应，生成SiS化合物；将温度再升高，SiS升华并分解出Si和SiS2，从而成核并形成一维纳米硅结构。
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