[发明专利]用于相变存储器的锗钛基存储材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200610117815.3 申请日: 2006-10-31
公开(公告)号: CN1953229A 公开(公告)日: 2007-04-25
发明(设计)人: 宋志棠;沈婕;刘波;封松林;陈邦明 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;C23C14/14;C23C16/06
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 潘振甦
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种用于相变存储器的锗钛基存储材料及制备方法。本发明锗钛基存储材料组成式为GexTiy,式中x、y为元素的原子百分比,且0<x<1;0<y<1。所述的GexTiy基存储材料,在施加电脉冲信号的情况下,发生了高阻态与低阻态之间的可逆转换特性,可以用于实现数据存储。与传统的用于相变存储器的SbTe、GeSbTe和SiSbTe等相变薄膜材料相比,锗钛基存储材料组分更简单,不含任何有毒元素,并且与互补金属氧化物半导体(CMOS)器件制造工艺兼容性非常好,是一种新型的、对环境友好的可用于相变存储器的存储材料。
搜索关键词: 用于 相变 存储器 锗钛基 存储 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种用于相变存储器的锗钛基存储材料,其特征在于所述锗钛基存储材料组成式为GexTiy,式中x、y为元素的原子百分比,且0<x<1;0<y<1。
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