[发明专利]用于相变存储器的锗钛基存储材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200610117815.3 | 申请日： | 2006-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1953229A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;沈婕;刘波;封松林;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;C23C14/14;C23C16/06 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于相变存储器的锗钛基存储材料及制备方法。本发明锗钛基存储材料组成式为GexTiy，式中x、y为元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。所述的GexTiy基存储材料，在施加电脉冲信号的情况下，发生了高阻态与低阻态之间的可逆转换特性，可以用于实现数据存储。与传统的用于相变存储器的SbTe、GeSbTe和SiSbTe等相变薄膜材料相比，锗钛基存储材料组分更简单，不含任何有毒元素，并且与互补金属氧化物半导体(CMOS)器件制造工艺兼容性非常好，是一种新型的、对环境友好的可用于相变存储器的存储材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 锗钛基 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于相变存储器的锗钛基存储材料，其特征在于所述锗钛基存储材料组成式为GexTiy，式中x、y为元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。
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