[发明专利]微小电容测试电路及测试方法无效

专利信息
申请号: 200610117835.0 申请日: 2006-11-01
公开(公告)号: CN101173967A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 胡晓明;徐萍 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26;G01R31/00;G01R31/26;H01L21/66
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 顾继光
地址: 201206上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种微小电容测试电路,包括待测电容C1,其一端与参考电容C2相连接,另一端与一端接地的测试输入电压Vin相连接,参考电容C2另一端接地,测试输出电压Vout在待测电容C1与参考电容C2的连接处。本发明还公开了一种微小电容测试方法,包括以下步骤:首先,测量参考电容C2的电容值;其次,在测试输入电压处加电压值Vin,测量相应的测试输出电压值Vout;第三步,计算Vout随Vin变化的斜率S;最后,计算待测电容C1电容值。本发明采用电容分压器的结构,测试微小电容的电容值,通过测试电路输出电压随输入电压的变化斜率计算待测电容值。本发明不仅能够降低测试成本,还可以提高测试精度。
搜索关键词: 微小 电容 测试 电路 方法
【主权项】:
1.一种微小电容测试电路,其特征在于,包括待测电容(C1),其一端与参考电容(C2)相连接,另一端与测试输入电压(Vin)相连接,测试输入电压(Vin)的另一端接地,参考电容(C2)一端与待测电容(C1)相连接,另一端接地,测试输出电压(Vout)在待测电容(C1)与参考电容(C2)的连接处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610117835.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top