[发明专利]有机硅微孔沸石、合成方法及其应用有效

专利信息
申请号: 200610117871.7 申请日: 2006-11-02
公开(公告)号: CN101172254A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 高焕新;周斌;魏一伦 申请(专利权)人: 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
主分类号: B01J31/02 分类号: B01J31/02;B01J29/06;C07C2/66;C07C15/073
代理公司: 上海浦东良风专利代理有限责任公司 代理人: 张惠明
地址: 100029*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种有机硅微孔沸石、合成方法及其应用,主要解决现有技术中合成的微孔沸石骨架结构中不含有机硅的问题,提供了一种骨架结构中含有机硅的微孔沸石。它包括以下摩尔关系的组成:(1/n)Al2O3∶SiO2∶(m/n)R,式中n=5~200,m=0.01~100,R为烷基、烷烯基或苯基中的至少一种;其Si29NMR固体核磁图谱在-80~+50ppm之间至少包含有一个Si29核磁共振谱峰;其X-射线衍射图谱在11.34±0.04,4.13±0.04,3.96±0.04,3.32±0.04,3.02±0.04和2.07±0.04埃处有d-间距最大值。该微孔沸石可作为有机化合物转化用的催化剂组份。
搜索关键词: 有机硅 微孔 合成 方法 及其 应用
【主权项】:
1.一种有机硅微孔沸石,包括以下摩尔关系的组成:(1/n)Al2O3∶SiO2∶(m/n)R,式中n=5~200,m=0.01~100,R为烷基、烷烯基或苯基中的至少一种;所述沸石的Si29NMR固体核磁图谱在-80~+50ppm之间至少包含有一个Si29核磁共振谱峰;所述沸石的X-射线衍射图谱在11.34±0.04,4.13±0.04,3.96±0.04,3.32±0.04,3.02±0.04和2.07±0.04埃处有d-间距最大值。
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