[发明专利]一种新型晶圆定位偏移纠正方法有效
| 申请号： | 200610118024.2 | 申请日： | 2006-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101179044A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 吕秋玲;王明珠;陈娟;戴准宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种晶圆定位偏移纠正方法，含有以下几个步骤：在地图上找到三个特殊图形作为识别图案；以其中一个特殊图形为原点在地图上建立坐标系；记录地图上该坐标系的上述三个特殊的坐标；将晶圆放置在机台上后，用光学显微镜寻找到原点，以该原点建立坐标系，用光学显微镜寻找到A1、A2的对应特殊图形记录下A1点在该坐标系下的坐标和A2点在该坐标系下的坐标；通过两个坐标下A1点的两个坐标，和两个坐标系下A2点的两个坐标来确保取点正确，并计算实际晶圆相对于地图的偏转角度；对所要标记点的位置作调整来得到实际晶圆上的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 定位 偏移 纠正 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆定位偏移纠正方法，含有以下几个步骤： 在地图上找到三个特殊图形A0(0、0)、A1(x1、y1)、A2(x2、y2)作为识别图案；以其中一个特殊图形为原点在地图上建立坐标系；记录地图上该坐标系的上述三个特殊的坐标；将晶圆放置在机台上后，用光学显微镜寻找到原点的实际坐标(x0，y0)，以该原点建立坐标系，用光学显微镜寻找到A1、A2的对应特殊图形记录下A1点在该坐标系下的坐标(x1’、y1’)和A2点在该坐标系下的坐标(x2’、y2’)；通过两个坐标下A1点的两个坐标，和两个坐标系下A2点的两个坐标来确保取点正确，并计算实际晶圆相对于地图的偏转角度；对所要标记点的位置作调整来得到实际晶圆上的位置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610118024.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：硅片加工过程中的调度方法
- 下一篇：一种人脸合成视频传输的方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
