[发明专利]新型2,4位修饰的1-去羟基巴卡亭VI衍生物及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200610118157.X 申请日: 2006-11-09
公开(公告)号: CN1962664A 公开(公告)日: 2007-05-16
发明(设计)人: 林海霞;王佃龙;韩娜;王晓洪;许斌 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C07D493/04 分类号: C07D493/04;C07D305/14
代理公司: 上海上大专利事务所 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及新型2,4位修饰的1-去羟基巴卡亭VI衍生物即4,9,10-三去乙酰基-4-(3-羰基)丁酰基-2-去苯甲酰基-2-取代芳甲酰基-9,10-O-异亚丙基-1-去羟基巴卡亭VI和4,9,10-三去乙酰基-4-(2-甲基-3-羰基)戊酰基-2-去苯甲酰基-2-取代芳甲酰基-9,10-O-异亚丙基-1-去羟基巴卡亭VI及其制备方法,属有机在成药物技术领域。本发明设计了一条选择性强、操作简单的合成路线,实现了1-去羟基巴卡亭VI衍生物C2苯甲酰基和C4乙酰基的结构修饰,合成了新型衍生物。
搜索关键词: 新型 修饰 羟基 巴卡亭 vi 衍生物 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种新型2,4位修饰的1-去羟基巴卡亭VI衍生物即4,9,10-三去乙酰基-4-(3-羰基)丁酰基-2-去苯甲酰基-2-取代芳甲酰基-9,10-O-异亚丙基-1-去羟基巴卡亭VI,其特征在于具有如下的分子结构式:R是取代芳基。
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