[发明专利]堆叠式多芯片半导体封装结构及封装方法无效
申请号: | 200610118297.7 | 申请日: | 2006-11-13 |
公开(公告)号: | CN101183673A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 王津洲 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种堆叠式多芯片半导体封装结构,包括至少一个倒装芯片、至少一个正装芯片和引线框架,倒装芯片与引线框架电连接,正装芯片与引线框架电连接,倒装芯片装配在引线框架上,正装芯片粘合于倒装芯片上。使用上述堆叠式多芯片半导体封装结构,混合使用金属线键合和倒装芯片键合的连接技术,提高了半导体封装的灵活性,满足各种应用上的需求,另外由于采用了倒装芯片键合的连接技术,使金属键合线连线的次数减少,封装系统的电性能增强。 | ||
搜索关键词: | 堆叠 芯片 半导体 封装 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种堆叠式多芯片半导体封装结构,包括至少一个倒装芯片、至少一个正装芯片和引线框架,倒装芯片与引线框架电连接,正装芯片与引线框架电连接,其特征在于,倒装芯片装配在引线框架上,正装芯片粘合于倒装芯片上。
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