[发明专利]沟槽的制造方法及其应用于制造图像传感器方法有效
| 申请号： | 200610118301.X | 申请日： | 2006-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101183658A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 卢普生;杨建平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/762;H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在叠层介质层中形成沟槽的方法，包括：在一半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成第一开口；在所述第一开口中填充第一牺牲层；在所述第一介质层上至少形成一第二介质层，并在所述第二介质层中形成第二开口，所述第二开口位于所述第一开口上方，且所述第二开口的深度和所述第二介质层的厚度相同；在所述第二开口中填充第二牺牲层；去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。本发明方法能够形成较好的沟槽轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 制造 方法 及其 应用于 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种在叠层介质层中形成沟槽的方法，包括：在一半导体基底上形成第一介质层；在所述第一介质层中形成第一开口；在所述第一开口中填充第一牺牲层；在所述第一介质层上至少形成一第二介质层，并在所述第二介质层中形成第二开口，所述第二开口位于所述第一开口上方，且所述第二开口的深度和所述第二介质层的厚度相同；在所述第二开口中填充第二牺牲层；去除所述第一牺牲层和第二牺牲层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
