[发明专利]分步化学机械抛光方法无效
| 申请号： | 200610118463.3 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101188197A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 俞昌;杨春晓;荆建芬;王麟 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/321;C09G1/02;B24B1/00 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种分步化学机械抛光方法，其具体步骤为：第一步，采用具有多晶硅去除速率大于或等于200A/min的化学机械抛光液去除大部分的多晶硅但不暴露多晶硅表面；第二步，在该抛光液中加入氧化剂后，对多晶硅表面以及随后暴露出来的多晶硅与二氧化硅表面进行抛光。该方法可避免表面碟形凹损缺陷，使晶片平坦度增高，并可同时增大晶片及抛光垫上的清洁度，使工艺更稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 分步 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分步化学机械抛光方法，其特征在于：第一步骤用具有多晶硅去除速率大于或等于200A/min的化学机械抛光液进行抛光，第二步骤在该抛光液中加入氧化剂进行抛光。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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