[发明专利]浅沟槽隔离工艺的监测版图及监测方法有效
| 申请号： | 200610118816.X | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192594A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘明源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离工艺的监测版图，用于监测浅沟槽隔离的工艺窗口，包括：复数组图案用于监测刻蚀工艺窗口，每一组图案包括复数个间隔分布的线条图形和开口图形，线条图形用于形成有源区，开口图形用于形成浅沟槽隔离；一种应用所述监测版图监测浅沟槽隔离工艺窗口的方法，包括：将所述监测版图通过光刻刻蚀转移半导体基底中形成沟槽，在所述沟槽中沉积介质层并进行平坦化，对刻蚀、沉积、平坦化后的半导体基底分别切割，形成断面，可监测浅沟槽隔离工艺刻蚀、沉积、化学机械研磨的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离工艺 监测 版图 方法 | ||
【主权项】：
1.一种浅沟槽隔离工艺的监测版图，用于监测浅沟槽隔离的工艺窗口，包括：复数组图案，每一组图案包括复数个间隔分布的线条图形和开口图形，所述线条图形用于形成有源区，所述开口图形用于形成浅沟槽隔离。
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