[发明专利]c轴垂直取向的L10相FePt磁记录薄膜的制备方法

摘要

本发明属磁记录技术领域，具体为一种制备c轴垂直于衬底取向的L1₀相FePt磁记录介质薄膜的新方法。该方法是在衬底与FePt薄膜之间引入一层超薄的氧化物层，以改善FePt薄膜的取向生长。首先在衬底上生长一层超薄的金属层，然后在氧气气氛或者氧氩混合气氛中用等离子体反溅射的方法氧化该金属层。氧化结束之后将真空恢复到本底真空，在室温下溅射FePt基合金薄膜。然后在真空环境中退火，用卤素灯进行辐照。由此制备得到的FePt样品有明显的c轴择优取向，同时具有很大的矫顽力(大于6000Oe)。本发明方法不同于单晶或取向缓冲层上外延生长，以及多层膜退火的非外延生长方式，为制备c轴取向的L1₀相FePt有序合金薄膜提供了一种快捷、高效的工艺条件。

主权项

1、一种c轴垂直取向的L10相FePt磁记录薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤如下：(1)首先在真空溅射镀膜装置的本底真空度为5×10-6Torr以下的环境中，在衬底上真空溅射生长一层厚度为0.5-5nm的金属层，再用反溅射来氧化这一金属层；(2)然后在真空恢复后，溅射FePt基合金层，该合金层是单层膜，或者是由SiO2薄膜隔开的多层膜，多层膜的层次数量为2-10；(3)最后在真空环境中用碘钨灯辐照薄膜表面进行热处理退火，使其有序化和择优取向；其中，步骤(1)中所述金属层的材料为Fe、Ni、Co、Ag或Cu，或其中几种的合金；工作气体采用氩气，溅射气压为2.5～5.0mTorr；反溅射氧化的工作气体为氧气和氩气，其中，氩气的分压在0～50％，溅射气压大于能启辉的气压，在衬底表面加射频偏压进行反溅射，溅射功率为10-50w，氧化时间50-100秒。