[发明专利]一种单层多晶硅栅可编程器件及其形成方法

摘要

本发明公开了一种单层多晶硅栅可编程器件及其形成方法，该器件包括存储器晶体管和晶体管电容区，且在存储器晶体管的源区或漏区形成高压偏移注入部，高压偏移注入部与多晶硅栅有交叠区域。上述可编程器件为MTP或OTP，存储器晶体管为逻辑晶体管。为制造上述器件，可在存储器晶体管的源区或漏区利用高压工艺中的偏移注入形成高压偏移注入部，并形成与多晶硅浮栅的交叠区域，且将高压偏移注入部的晶体管源区或漏区形成一个能耐高压的结，并利用交叠区域作为编程时电子或空穴进出多晶硅浮栅的隧穿区，实现多次或一次可变成的MTP/OTP器件。本发明实现了容量较小MTP/OTP的成功嵌入。

主权项

1.一种单层多晶硅栅可编程器件，其特征在于，包括存储器晶体管和晶体管电容区，且在所述存储器晶体管的源区或漏区形成高压偏移注入部，所述高压偏移注入部与多晶硅栅有交叠区域。