[发明专利]金属布线结构的制作方法有效
| 申请号： | 200610119049.4 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101197309A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 金属布线结构的制作方法，包括：提供具有隔离结构和位于隔离结构之间的有源区，并且隔离结构上具有腐蚀阻挡层，有源区上具有绝缘隔离层的半导体基体；在半导体基体上依次形成第一刻蚀停止层、第二刻蚀停止层、层间介电层；在层间介电层上形成光刻胶图案；以光刻胶为掩膜刻蚀层间介电层，停止于第二刻蚀停止层；刻蚀第二刻蚀停止层，直至完全去除第二刻蚀停止层；以光刻胶为掩膜，选用对第一刻蚀停止层和腐蚀阻挡层的刻蚀速率选择比大于1，并且对绝缘隔离层和腐蚀阻挡层的刻蚀速率选择比大于1的刻蚀试剂，刻蚀第一刻蚀停止层以及腐蚀阻挡层和绝缘隔离层，直至完全去除有源区上的绝缘隔离层，去除光刻胶层。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 布线 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属布线结构的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体基体，所述半导体基体具有隔离结构和位于隔离结构之间的有源区，并且隔离结构上具有腐蚀阻挡层，有源区上具有绝缘隔离层；在所述半导体基体上形成第一刻蚀停止层；在第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层；在第二刻蚀停止层上形成层间介电层；在层间介电层上形成光刻胶图案；第一次刻蚀：以光刻胶为掩膜刻蚀层间介电层，停止于第二刻蚀停止层；第二次刻蚀：以光刻胶为掩膜刻蚀第二刻蚀停止层，直至完全去除第二刻蚀停止层；第三次刻蚀：以光刻胶为掩膜，选用对第一刻蚀停止层和腐蚀阻挡层的刻蚀速率选择比大于1，并且对绝缘隔离层和腐蚀阻挡层的刻蚀速率选择比大于1的刻蚀试剂，刻蚀第一刻蚀停止层以及腐蚀阻挡层和绝缘隔离层，直至完全去除绝缘隔离层；去除光刻胶图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610119049.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
