[发明专利]改善多晶硅缺陷的方法有效
| 申请号： | 200610119058.3 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101197310A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨芸;杨振良;金贤在;王刚宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善多晶硅缺陷的方法，包括下列步骤：在硅基底上形成氧化硅层；在氧化硅层中形成多晶硅插塞，所述多晶硅插塞贯穿氧化硅层；在氧化硅层上形成氮化硅层，且覆盖多晶硅插塞；在氮化硅层上形成层间介质层；蚀刻多晶硅插塞上方的层间介质层，形成开口；蚀刻开口处的氮化硅层，露出多晶硅插塞；在开口内填充多晶硅，与多晶硅插塞连通。经过上述步骤，由于氮化硅层的保护，不会产生热标准清洗液1号与多晶硅插塞反应；由于氮化硅层是最后被蚀刻掉的，因此就不会产生氮化硅层露出，使后续填充平整。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 多晶 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善多晶硅缺陷的方法，包括下列步骤：a.在硅基底上形成氧化硅层；b.在氧化硅层中形成多晶硅插塞，所述多晶硅插塞贯穿氧化硅层；c.在氧化硅层上形成氮化硅层，且覆盖多晶硅插塞；d.在氮化硅层上形成层间介质层；e.蚀刻多晶硅插塞上方的层间介质层，形成开口；f.蚀刻开口处的氮化硅层，露出多晶硅插塞；g.在开口内填充多晶硅，与多晶硅插塞连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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