[发明专利]一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法有效
| 申请号： | 200610119211.2 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101022082A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 栾兴伟;周兴峰 | 申请（专利权）人： | 上海合晶硅材料有限公司;栾兴伟 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/306;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙粹芳 |
| 地址： | 201617*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法，它是利用硅单晶切磨加工后自身形成的损伤层，对其进行控制腐蚀(包括碱腐蚀、酸腐蚀或酸碱混合腐蚀)或控制抛光加工，通过控制腐蚀量或抛去量的工艺条件，去除该硅单晶片部分的损伤层厚度而保留一定的残留损伤层厚度，使硅单晶片具有外吸杂能力，本发明是一种新的很有效的外吸杂方法。该方法简便，去除了制备传统具外吸杂能力(如采用背面喷砂)硅单晶抛光片工艺流程中的损伤加工工序，节省了材料消耗，缩短加工时间，具有很大的经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 硅单晶切磨片 残留 损伤 厚度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制硅单晶切磨片残留损伤层厚度的方法，其特征在于利用硅单晶切磨加工后自身形成的损伤层，对其进行控制腐蚀或控制抛光加工，去除硅单晶片部分的损伤层厚度而保留能使硅片具有吸杂能力要求的残留损伤层厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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