[发明专利]单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200610119251.7 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1986912A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 郑茂俊;曾安生;马荔;沈文忠 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;张宗明 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法，属于纳米技术领域。本发明利用两步化学刻蚀方法，包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程，首先为电化学刻蚀过程，包括InP单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀，其后为无电湿法刻蚀过程，包括湿法择优腐蚀和超声波清洗，最终获得单晶InP方形纳米孔阵列。利用本发明方法，实现了在Sn掺杂n型(100)面InP单晶样品制备均匀有序的单晶InP方形纳米孔阵列。 | ||
| 搜索关键词： | inp 方形 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单晶InP方形纳米孔阵列的制备方法，其特征在于，利用两步化学刻蚀方法，包括电化学刻蚀过程和无电湿法刻蚀过程：首先为电化学刻蚀过程，包括InP单晶片样品的准备、电抛光和多孔阵列刻蚀；然后为无电湿法刻蚀过程，包括湿法择优腐蚀和超声波清洗；最终获得单晶InP方形纳米孔阵列。
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