[发明专利]CMOS/BiCMOS工艺中的金属电容无效
| 申请号： | 200610119286.0 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101197362A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 徐向明;田光春 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L23/522;H01L29/92 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS/BiCMOS工艺中的金属电容，可有效利用侧面寄生电容，从而提高金属寄生电容的电容密度，减小电容结构的版图面积。该金属电容由多层金属布线层堆叠而成，其中每一层金属层包含多个正极性的金属条和多个负极性的金属条，而且各正负极性的金属条以相互间隔的方式平行放置在一起，其中所述金属条呈由多个“”状相连组成的45度折线状或者呈由多个“十”字相连组成的90度折线状。 | ||
| 搜索关键词： | cmos bicmos 工艺 中的 金属 电容 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS/BiCMOS工艺中的金属电容，由多层金属布线层堆叠而成，其中每一层金属层包含多个正极性的金属条和多个负极性的金属条，而且各正负极性的金属条以相互间隔的方式平行放置在一起，其特征在于，所述金属条呈由多个状相连组成的45度折线状或者呈由多个“十”字相连组成的90度折线状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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