[发明专利]一种颗粒膜TbFeCo的制备方法无效
| 申请号： | 200610119293.0 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1962931A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 周仕明;刘尊;焦新兵 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/08;C23C14/54;G11B5/851 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种制备TbFeCo颗粒膜的新方法。传统的TbFeCo薄膜常用作磁光以及光磁混合材料。薄膜的抗热扰动能力差。不同于传统的薄膜生长方法，本发明采用直流磁控溅射与射频磁控溅射共溅的方法，TbFeCo直流溅射，非磁性介质SiO2等射频溅射。这种制备颗粒膜的新方法改善了材料的性能，提高了材料的热稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 颗粒 tbfeco 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备颗粒膜TbFeCo方法。其特征在于采用射频磁控溅射非磁性介质与直流磁控溅射TbFeCo共溅的方法，其中，真空溅射设备的本底真空度为5.0×10-5Pa以下，氩气保护，氩气压为0.8-1.0Pa，非磁性介质为隔离层，材料为SiO2、NiO或MgO，TbFeCo为记录层。
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