[发明专利]膜层应力检测方法有效
| 申请号： | 200610119365.1 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101197299A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 何伟明;林益世 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种膜层应力检测方法，包括：在半导体衬底上形成图案化的膜层，所述半导体衬底包含对准标记，所述图案化的膜层中包含对位标记及/或测量标记；利用所述对准标记、对位标记及/或测量标记获得膜层中不同对位标记及/或测量标记对应区域的对位操作偏位信息；确定膜层对位操作偏位标准；根据所述膜层对位操作偏位标准判别所述膜层中不同对位标记及/或测量标记对应区域的对位操作偏位信息。利用此方法可实现膜层应力的在线检测且无需增加单独的检测步骤；并可提供膜层不同区域内的应力超标信息；同时减少了废片损失，降低了生产成本，并且测试结果与膜层的其他参数无关。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种膜层应力检测方法，包括：在半导体衬底上形成图案化的膜层，所述半导体衬底包含对准标记，所述图案化的膜层中包含对位标记及/或测量标记；利用所述对准标记、对位标记及/或测量标记获得膜层中不同对位标记及/或测量标记对应区域的对位操作偏位信息；确定膜层对位操作偏位标准；根据所述膜层对位操作偏位标准判别所述膜层中不同对位标记及/或测量标记对应区域的对位操作偏位信息；所述对位操作偏位超出此标准时，判定所述不同对位标记及/或测量标记对应区域膜层应力不满足产品要求；所述对位操作偏位满足此标准时，则判定所述不同对位标记及/或测量标记对应区域膜层应力满足产品要求。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
