[发明专利]一种监控CMP研磨剂的腐蚀抑制剂的方法

摘要

本发明公开了一种监控CMP研磨剂的腐蚀抑制剂的方法，包括：一、在CMP设备研磨垫(3)下方接入工作电极(1)，同时在研磨剂(4)中接入参考电极和微电极，参考电极和微电极分别与工作电极连接并与一台处理器连接以测量电流和电势；二、在研磨剂中加入腐蚀抑制剂，在硅片(2)上方施加压力并使硅片和研磨垫产生摩擦作用；三、跟踪处理器上实时的电流和电势的变化来评价腐蚀抑制剂的性能，四、记录三的结果并选定合适的研磨剂中腐蚀抑制剂用于。上述步骤一中工作电极与硅片在硅片的每一个循环周期会接触一次。本发明在CMP过程引入摩擦电化学技术来监控中金属表面的特性变化，从而获得相应的腐蚀抑制剂的精确信息并可据此选择合适的腐蚀抑制剂。

主权项

1.一种监控CMP研磨剂的腐蚀抑制剂的方法，可应用于CMP设备上，所述CMP设备具有研磨垫并使用研磨剂，以处理硅片的多层金属实现其平坦化，其特征在于，包括：步骤一、在所述研磨垫下方接入至少一个工作电极，同时在所述研磨剂中接入参考电极和微电极，所述参考电极和微电极分别与所述工作电极连接并与一台处理器连接以测量电流和电势；步骤二、在所述研磨剂中加入腐蚀抑制剂，在硅片上方施加压力并使所述硅片和所述研磨垫产生摩擦作用；步骤三、跟踪所述处理器上实时的电流和电势的变化来评价腐蚀抑制剂的性能，即：当因研磨剂氧化而使金属表面形成表面聚合物时，电流减弱而电势增加；当金属表面形成的聚合物在摩擦作用下被去除时，电流明显增大而电势会减小，多余金属被去除；步骤四、记录步骤三的结果并进行对比.将研磨作用前与研磨过程中平均电流的变化差值进行比较，差值越大则说明研磨效果越好，由此选定合适的研磨剂中腐蚀抑制剂用于CMP工艺。