[发明专利]一种化学气相传输方法生长氧化锌晶体的方法无效

专利信息
申请号: 200610119425.X 申请日: 2006-12-11
公开(公告)号: CN101200808A 公开(公告)日: 2008-06-18
发明(设计)人: 张华伟;施尔畏;陈之战 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C30B29/16;C01G9/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 20005*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种化学气相传输方法生长氧化锌晶体的方法,属于晶体材料领域。其方法包括如下步骤:1)采用高纯ZnO密实块体作原料,以碳或石墨为催化剂,在氧化锌或外延有氮化镓(或氧化锌)单晶层的蓝宝石晶片上生长ZnO单晶;2)使用石英或金属安瓿,真空密封后加热至原料端1000-1150℃,籽晶端950-1100℃。本发明是工艺简单、成本低,可以获得高质量大尺寸氧化锌晶体,并且可以通过改变工艺条件实现对ZnO晶体尺寸、生长速度的控制。
搜索关键词: 一种 化学 相传 方法 生长 氧化锌 晶体
【主权项】:
1.一种化学气相传输方法生长氧化锌晶体的方法,其特征在于包括下述步骤:(1)将洁净的蓝宝石或氧化锌(0001)晶片放置于洁净的石英或金属安瓿底部;(2)将密实的高纯ZnO块体和催化剂碳或石墨按质量比40∶1-100∶1一起放置于石英或金属安瓿,真空密封;(3)将石英安瓿放入加热炉中,缓慢升温使原料端和籽晶端分别保持在1000-1150℃和950-1100℃间,并控制温差在10-50℃范围,反应进行1-30天;(4)反应结束后,经24小时以上缓慢降温至900℃后随炉冷却至室温;(5)取出晶体,氧气氛下退火,退火温度为800-1100℃。
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