[发明专利]Flash芯片的清洗制程无效
| 申请号： | 200610119539.4 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101202202A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 杜学东;曾坤赐;陈玉文;张弓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种Flash芯片的清洗制程，其包括如下步骤：将芯片以单片式清洗机台佐以弱碱清洗液清洗。与原有技术相比，本发明的Flash芯片的清洗制程对芯片以单片式清洗机台清洗，而且清洗液清洗完一个芯片后就更新，这样可以有效防止芯片在清洗过程的交叉污染。此外，采用弱碱清洗液可以更为彻底的清除残留在芯片表面凹槽侧壁和底部的聚合物与离子，有效防止离子扩散到储存器件内影响器件操作性能。 | ||
| 搜索关键词： | flash 芯片 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种Flash芯片的清洗制程，其特征在于，将芯片以单片式清洗机台清洗，清洗液清洗完一片芯片后就排掉不再重复使用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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