[发明专利]二极管多种仿真器格式的SPICE模型建模方法有效
| 申请号： | 200610119557.2 | 申请日： | 2006-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101201851A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周天舒 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二极管多种仿真器格式的SPICE模型建模方法，包括的步骤为：进行HSPICE仿真器格式的二极管模型参数提取；将HSPICE仿真器格式的重要参数转换为对应的SPECTRE仿真器格式的二极管模型参数，进行SPECTRE仿真器格式的非大电流注入区域的二极管模型参数提取；增加二极管周长部分在大电流注入时发生电流扭曲的模型参数IKP作为模型参数，进行SPECTRE仿真器格式的大电流注入区域的二极管模型参数提取；优化IKP的数值。本发明可在短时间内得到具有较好的仿真结果与测试数据拟合性的二极管SPICE模型。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 多种 仿真器 格式 spice 模型 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二极管多种仿真器格式的SPICE模型建模方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，对需要建模的二极管进行HSPICE仿真器格式的二极管模型参数提取，在二极管小电流注入区域提取二极管面积部分的饱和电流参数JS、二极管周长部分的饱和电流参数JSW和二极管的电流复合系数N，在二极管大电流注入区域提取二极管大电流注入时发生电流扭曲的模型参数IK、以及二极管的串联电阻RS，在二极管反向电流工作区域，提取二极管的击穿电压VB和二极管的击穿电流IBV；第二步，将HSPICE仿真器格式的重要参数：二极管面积部分的饱和电流参数JS、二极管周长部分的饱和电流参数JSW、二极管大电流注入时发生电流扭曲的模型参数IK、二极管的击穿电压VB、二极管的击穿电流IBV、二极管的电流复合系数N、二极管的串联电阻RS直接转换为对应的SPECTRE仿真器格式的二极管模型参数，进行SPECTRE仿真器格式的非大电流注入区域的二极管模型参数提取；第三步，在第二步中提取的SPECTRE仿真格式二极管模型参数基础上增加二极管周长部分在大电流注入时发生电流扭曲的模型参数IKP作为模型参数，进行SPECTRE仿真器格式的大电流注入区域的二极管模型参数提取；第四步，优化IKP的数值。
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