[发明专利]绝缘栅型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610121206.5 | 申请日： | 2006-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1941413A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 栉山和成;冈田哲也;及川慎;石田裕康;佐山康之 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘栅型场效应晶体管，在平面结构的MOSFET中，当降低漏极－源极间电压VDS时，耗尽层宽度变窄，在栅极电极的中央下方的栅极－漏极间电容Cgd(回授电容Crss)迅速增大。由于回授电容Crss影响开关特性，故存在高频开关特性不能提高的问题。在栅极电极的中央设置分离孔。可抑制在降低漏极－源极间电压VDS，且耗尽层宽度变窄的情况下的回授电容Crss的迅速增大。由此，高频开关特性提高。另外，从分离孔注入n型杂质，在沟道区域间形成n型杂质区域。由于可使栅极电极下方为低电阻，故可降低导通电阻。n型杂质区域可自对准形成。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于，具有：一导电型半导体衬底；设于所述衬底上的一导电型半导体层；在所述半导体层表面设有多个的反向导电型沟道区域；在相邻的所述沟道区域间的所述半导体层表间设置的栅极电极；将至少一部分的所述栅极等分割的分离孔；覆盖所述分离孔及所述栅极电极的绝缘膜；设于所述沟道区域表面的一导电型源极区域；在所述源极区域间的所述沟道区域表面设置的反向导电型体区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610121206.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种治疗银屑病的药物组合物
- 下一篇：一种现浇砼用轻质胎模构件
- 同类专利
- 专利分类
