[发明专利]半导体探头以及采用其写入和读取信息的方法无效
| 申请号： | 200610121326.5 | 申请日： | 2006-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1963953A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 朴弘植;丁柱焕;高亨守;洪承范 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G12B21/12 | 分类号： | G12B21/12;G12B21/02;G11B9/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体探头和一种利用所述半导体探头写入和读取信息的方法。所述半导体探头包括悬臂和形成于所述悬臂的一个末端部分上的尖端，从而在位于形成了电极的表面上的铁电媒质上写入信息或从其上读取信息。所述尖端包括轻度掺杂了半导体杂质的电阻性区域和重度掺杂了半导体杂质的导电区域。所述悬臂包括形成于面对所述媒质的底面上的静电力生成电极。通过在形成于所述铁电媒质上的电极和所述静电力生成电极之间有选择地施加电压调整所述尖端和所述媒质之间的接触力。从而使尖端的磨损降至最低，并确保高记录密度下的写入/读取性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 探头 以及 采用 写入 读取 信息 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体探头，包括：悬臂；以及形成于所述悬臂的末端部分上的尖端，用于在包括电极的铁电媒质上写入信息或从其上读取信息，所述尖端包括轻度掺杂了杂质的电阻性区域和重度掺杂了杂质的导电区域，其中，所述悬臂包括在面对所述媒质的所述悬臂的表面上形成的静电力生成电极，通过在所述铁电媒质的所述电极和所述悬臂的所述静电力生成电极之间有选择地施加电压而调整所述尖端和所述媒质之间的接触力。
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