[发明专利]图像传感器装置与光电元件有效
申请号: | 200610121424.9 | 申请日: | 2006-08-22 |
公开(公告)号: | CN1983609A | 公开(公告)日: | 2007-06-20 |
发明(设计)人: | 林志旻 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/30 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种图像传感器装置与光电元件。上述图像传感器装置,包括图像感测像素阵列设置于衬底的第一区域,以及逻辑电路设置于衬底的第二区域,其中逻辑电路包括互补型金属氧化物半导体晶体管。每个图像感测像素包括完全不具有自对准硅化物的晶体管及钉扎光电二极管。其中第二区域的CMOS晶体管上具有自对准硅化物,且第一区域的晶体管完全不具有自对准硅化物。本发明通过在图像感测像素区域的表面上完全不形成金属硅化物,由此可有效地降低暗电流,进而获得高信号-噪声比的图像传感器装置。另一方面,仅仅将金属硅化物形成于CMOS逻辑电路区域的栅极结构顶部与漏极/源极区域表面,而显著增加CMOS逻辑电路的运算速率。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 装置 光电 元件 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器装置,包括:图像感测像素阵列,设置于衬底的第一区域,每个图像感测像素包括完全不具有自对准硅化物的晶体管及钉扎光电二极管;以及逻辑电路,包括设置于该衬底的第二区域的互补型金属氧化物半导体晶体管,其中该第二区域的该互补型金属氧化物半导体晶体管上具有自对准硅化物,且该第一区域的该晶体管完全不具有自对准硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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