[发明专利]制造具有低高宽比的结构的方法

摘要

本发明涉及用于制造具有低高宽比的结构(8)的方法，首先，在半导体衬底(1)的开口(3)中共形形成初始结构(4)，开口(3)填充有牺牲结构(9)，以及在开口(3)之外除去初始结构(4)。通过除去在牺牲结构(9)和半导体衬底(1)之间的侧壁区域中初始结构(4)的部分，提供具有低高宽比的结构(8)。

主权项

1、一种用于制造具有低高宽比的结构的方法，包括以下步骤：-提供半导体衬底(1)，其具有从表面(2)到达该半导体衬底(1)内的开口(3)，该半导体衬底(1)在开口(3)内在侧壁和底部区域处并且在开口(3)之外在所述表面(2)处均被初始结构(4)覆盖；-形成牺牲结构(9)，其填充开口(3)并覆盖开口(3)之外的表面(2)；-除去位于开口(3)之外的牺牲结构(9)的部分；-通过除去毗邻开口(3)内侧壁的初始结构(4)的部分，从初始结构(4)形成具有低高宽比的结构(8)，该高宽比定义为结构(8)的侧壁高度与开口(3)的宽度之比；以及-除去牺牲结构(9)。