[发明专利]垂直外腔面发射激光器无效
| 申请号： | 200610121484.0 | 申请日： | 2006-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101005195A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 李俊昊;金泽;李商文 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/024;H01S5/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种端泵垂直外腔面发射激光器(VECSEL)。该VECSEL包括：散热器，用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散产生的热量；激光器芯片，设置在散热器上，并且由泵浦光束激发而发射第一波长的光束；倍频发生(SHG)晶体，其设置在激光器芯片上，并且将从激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的激光束，其为第一波长的一半；和平面外腔，其直接形成在SHG晶体上，并且对第二波长的光束有预定的透射率。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 外腔面 发射 激光器 | ||
【主权项】：
1、一种垂直外腔面发射激光器，包括：散热器，用于透射外部发射的预定波长的泵浦光束和消散所产生的热量；激光器芯片，设置在所述散热器上，并且由所述泵浦光束激发而发射第一波长的光束；倍频发生晶体，设置在所述激光器芯片上，并且将由所述激光器芯片发出的第一波长的激光束转换成具有第二波长的光束，所述第二波长为第一波长的一半；和平面外腔，直接形成在所述倍频发生晶体上，并且对所述第二波长的光束具有预定的透射率。
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