[发明专利]相变材料、含该材料的相变随机存取存储器及其操作方法有效
| 申请号： | 200610121663.4 | 申请日： | 2006-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1996608A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 卢振瑞;金基俊;姜闰浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相变材料、含有该相变材料的相变存储器以及所述相变存储器的操作方法。所述相变存储器包括：开关元件；以及连接到所述开关元件的含有相变材料的存储节点。所述存储节点包括：第一电极；相变层；以及第二电极。所述相变层由掺杂了Ge的InSbTe化合物形成。所述相变材料的相变温度和重置电流低于使用常规GST化合物时的相变温度和重置电流。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 材料 随机存取存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器，包括：开关元件；以及连接到所述开关元件的存储节点，所述存储节点包括：第一电极；相变层；以及第二电极，其中所述相变层由掺杂了Ge的InSbTe化合物形成。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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