[发明专利]半导体存储器的电容器结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200610121865.9 | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101132003A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 吴孝哲 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电容器结构，包括多个柱体和设置在该多个柱体之间且连接该多个柱体的局部外壁的支撑环。该柱体可为中空圆柱体，该支撑环可设置在该柱体的上部。该电容器结构可包括多个支撑环和隔离该多个支撑环的硬屏蔽。该支撑环与该硬屏蔽由不同材料构成，例如该支撑环的材料可为三氧化二铝或氮化硅，而该硬屏蔽的材料可为氧化硅或多晶硅。该电容器结构包括设置在该中空圆柱体内的第一电极、设置该第一电极表面的介电层和设置在该介电层表面的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 电容器 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器的电容器结构，包括：多个柱体；和支撑环，设置在该多个柱体之间且连接该多个柱体的局部外壁。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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