[发明专利]半导体发光器件制造方法有效
| 申请号： | 200610121876.7 | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1921161A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 笔田麻佑子 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件的制造方法，包含：形成包含外延生长在基底基板上并包含有源层的多层半导体膜的晶片的步骤(P1、P2)、通过光激发晶片中的有源层并至少在两个温度点测量有源层的发射强度而对有源层进行合格/不合格判断的步骤(P3、P6、P8)、以及使用包含在合格/不合格判断中被判断为质量良好的有源层的多层半导体膜形成发光器件结构的步骤(P4、P5、P7、P9－P13)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件的制造方法，包含的步骤为：形成包含多层半导体膜的晶片，所述多层半导体膜外延生长在基底基板上并包含有源层；通过光激发所述晶片中的所述有源层并至少在两个温度点测量所述有源层的发射强度，而对所述有源层进行合格/不合格判断；以及使用包含在所述合格/不合格判断中被判断为质量良好的所述有源层的所述多层半导体膜形成发光器件结构。
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